1996 Jul 30
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C
Fig.20 Drain-source on-state resistance as a
function of gate-source voltage;
typical values.
VDS
= 0; f = 1 kHz; Tamb
=25?C.
103handbook, halfpage
10?1
0
1
10
102
?4
(V)
?2
?1
MGE790
?3
VGS
RDSon
(kΩ)
BF245A
BF245B
BF245C
Fig.21 Noise figure as a function of frequency;
typical values.
VDS
=15V; VGS
=0; RG
=1k?; Tamb
=25?C.
Input tuned to minimum noise.
handbook, halfpage3
0110102
MGE786
typ
103
1
2
F
(dB)
f (MHz)
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